电竞投注竞猜平台-LOL比赛投注网站 国内 汽车应用MCU市场再起“战火”:瑞萨电子VSSpansion-LOL比赛投注网站

汽车应用MCU市场再起“战火”:瑞萨电子VSSpansion-LOL比赛投注网站

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【电竞投注竞猜平台】市场上针对汽车应用的芯片制造商已经明确表示,下一代微控制器(MCU)的战场是内置40纳米高速存取闪存的高性能产品;到目前为止,面临战争的主要有两大厂商——瑞萨的40 nm闪存技术和一定程度上的Spansion嵌入式ChargeTrap (eCT)技术。如今,汽车中包含数百个单片机来监控、处理和控制驾驶员、改变方向和制动等关键任务,并获得安全和舒适等功能。对于汽车电控单元中使用的MCU来说,它没有大容量内置闪存是非常基本的,因为它们必须存储更多的控制算法,并应用到代码中;最重要的是芯片上闪存的速度。如果太快,单片机的高速逻辑电路就不能充分发挥其性能。

一般来说,那些想争夺高性能先进设备单片机市场但缺乏自己的闪存技术的供应商不会面临几个问题:应该使用哪种较慢的闪存技术?谁有那种技术?晶圆代工厂在哪里?那么他们可能会有另外一个问题:如何在不卷入Spansion和Renesas之间的IP大战的情况下完成这些事情?-两家公司嵌入式闪存的IP大战还没有结束,但是硝烟和硝酸盐的味道很浓。先发制人?Spansion战略联盟和业务研发高级副总裁AliPourkeramati最近拒绝接受采访,认为Renesas的eFlash微控制器技术可能侵犯了Spansion的eCT技术;Spansion?现在将矛头指向所有在没有达成共识的情况下欺骗其技术的内存和系统制造商。据了解,Spansion最近收到了很多内存同行和非内存终端运营商的警告信,称公司将明确提起专利侵权诉讼(参考链接)。

这部分是Spansion提升自身IP的策略,但Pourkeramati关于IP侵权的警告可能只是先发制人,为了让那些不打算使用Renesas eFlash技术的厂商撤退。但针对此事,瑞萨在东京的发言人回应称,公司没有收到Spsansion的任何消息;当EETimes America的编辑向Pourkeramati证实时,他还说Renesas不在接警信名单上。

由于缺乏进一步的证据,很难预测闪存MCU大战何时不会结束。eCTvs.eFlash有两个问题伴随着可能的冲突,一个是两家公司的技术差异程度,另一个是他们目前的技术/产品开发进度。IHS的嵌入式处理器和汽车半导体市场首席分析师TomHackenberg回应称,Spansion和Renesas的技术非常相似,但该组织获得的信息足以评论这两种技术是否类似于可能达成专利侵权协议的情况:它们的相似之处在于,它们对更成熟时期普遍应用于嵌入式MCU的NOR闪存技术进行了一些类似的设计改进。

哈肯伯格认为,两家公司产品的新设计都采用了非常厚的三层结构(绝缘层-电荷层-绝缘层)来增加漏电流(使整个存储芯片都可以省电),尤其是当存储单元处于重启模式,栅极中的电荷为0V时。然而,它们的栅极重叠结构仍然存在一些差异。

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Renesas包括一些分流设计,当故障再次发生时,这些设计显然会增加错误。两者的最终结果在整体逻辑ic读/写速度和节能效率方面带来了类似的改进。与传统设计相比,两者的设计也极具可扩展性(主要是传统设计随着制造工艺大幅降低,漏电流也慢慢降低);因此,切换到40 nm工艺可以进一步提高速度和省电。Renesas的eFlash使用自己开发的存储单元技术Monos(Metaloxidesilicon)。

闪存单元中的每个晶体管都使用氧-氮-氧三层结构,该结构基于硅,顶部有一个金属栅极。Spansion的电荷转换技术应用于自己的MirrorBit闪存技术。

电荷转换技术与传统浮栅MOSFET技术的区别在于,后者使用氮化硅薄膜存储电子,而MirrorBit存储单元不仅使用电荷转换层代替传统的浮栅,还利用电荷存储氮化物可以导电的特性,使两位可以共享同一个存储单元。Renesas的分栅存储单元设计不具备低速低功耗的特点。为了将各自的技术局限于嵌入式闪存MCU,两家公司都开发了新的门架构;Renesas的分裂门结构将门分成两部分,一部分用于支持存储单元选择功能,另一部分用于存储数据。

自由选择门一般是重新打开的(重新打开状态的功耗为0),而存储门一般是打开的。-电竞投注竞猜平台。

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